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存储器芯片巨头动态观察:三星、美光、SK海力士都在做什么?

产品时间:2023-01-09 01:16

简要描述:

近年来我国仍然在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点注目领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片普遍应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。存储器芯片领域,主要分成两类:不易失性和非易失性。 不易失性:断电以后,存储器内的信息就萎缩了,例如DRAM,电脑中的内存条。...

详细介绍
本文摘要:近年来我国仍然在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点注目领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片普遍应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。存储器芯片领域,主要分成两类:不易失性和非易失性。 不易失性:断电以后,存储器内的信息就萎缩了,例如DRAM,电脑中的内存条。

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近年来我国仍然在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点注目领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片普遍应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。存储器芯片领域,主要分成两类:不易失性和非易失性。

不易失性:断电以后,存储器内的信息就萎缩了,例如DRAM,电脑中的内存条。非易失性:断电以后,存储器内的信息依然不存在,主要是存储器(NandFLASH和NORFLASH),NOR主要应用于代码存储介质中,而NAND则用作数据存储。在整个存储器芯片里面,主要有的三种产品是:DRAM、NORFLASH和NandFLASH。

其中DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头独占,占到比超过90%以上。AI存储器商机可期传三星白鱼大幅度跃进DRAM专门高效能AI(人工智能)处理器与服务器打造出的3D填充DRAM,传三星计划跃进三十倍。3D填充DRAM使用硅穿孔(ThroughSiliconVia)技术,可将DRAM芯片横向填充,由于出入地下通道加高,传输速度也大幅度减缓。

韩国媒体ETnews援引产业消息报导认为,三星最近向设备供应商采购新型20台热压黏合封装机(TCB),这是硅穿孔技术的适当设备,且按理来说,新的机具生产量是原先机台的八倍。新的TCB机台今年底可就定位,预估预计三星硅穿孔制程生产能力将可减少三十倍之多。英特尔与Nvidia现皆朝AI大力发展,也都是三星潜在客户群。

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除此之外,日前有消息认为苹果正在研发AI专属芯片,将借以处置脸部与语音辨识等工作,可应用于iPhone与iPad等装置,三星似乎已闻到这股AI存储器的新商机就在不远处。美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米三星电子制程领先,首度量产18纳米DRAM,把同业抛掷在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)不甘示弱,争相扔钱要追赶三星。外媒报导,三星是DRAM龙头,制程领先输掉1~2年,2016年下半年首先量产18纳米DRAM,计划今年下半年前进至15纳米。

研究机构估算,今年底为止,三星想把18纳米DRAM的生产比重,提升至30%。业界人士说道,三星不会以利润优先,会扩产抢市,被打乱价格。三星一马当先,DRAM第三大厂美光拚命追上,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。

美光在日本广岛厂加设无尘室设备,并出售了多项高价生产仪器。转入13纳米制程之后,同一片晶圆能拆分出更加多芯片,生产力将提升20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。与此同时,SK海力士也打算在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM,接着再行投放移动设备用的18纳米DRAM。

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SK海力士不会优先提升21纳米制程良率,之后转往20纳米、再行改向18纳米。SK海力士人员透漏,该公司正在研发1yDRAM制程,但是还不确认量产时间。

在此之前,三星电子的韩国华城厂(Hwaseong),将要扩产的传闻蔓延许久。最新消息表明,三星要求投资3万亿韩元(大约26.4亿美元)提高DRAM生产能力。不过由于未来11线仍然生产DRAM,生产能力一减一减半之下,应当不至于冲击DRAM供给。

韩媒曾报导,业界消息认为,三星半导体业务部门将扩展华城厂17线的DRAM生产能力,生产10纳米等级的DRAM。三星已告诉设备厂扩产计划,并在三月份向部分业者下单,估算投资金额大约为2.5万亿~3万亿韩元,完工后每月跃进3.5万片300公厘的硅晶圆,预计今年下半可行性生产。

三星华城厂为综合晶圆厂,17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3DNANDFlash、S3线生产10纳米系统半导体。如今11线将改以全数生产图像传感器CMOS和CIS,仍然生产DRAM。三星为了填补生产能力损失,要求不断扩大17线的DRAM生产能力。涉及人士回应,此一投资是为了填补11线生产能力削减和制程微缩损失,对DRAM供需完全没影响。


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